VDP-B系列 等離子去膠系統(tǒng)
應(yīng)用：硅基半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體的光阻灰化、高劑量離子注入后光刻膠去除、金屬表面去膠、Wafer表面的殘膠去除、Wafer表面殘留污染物去除、晶圓級(jí)封裝的前處理工藝等。
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| 編號(hào) | 內(nèi)容 | 規(guī)格參數(shù) |
|---|---|---|
| 1 | 整機(jī)結(jié)構(gòu) | 前端設(shè)備操作單元、前端EFEM單元及等離子處理單元，前端EFEM系統(tǒng)與等離子體處理單元分體式設(shè)計(jì) |
| 2 | 等離子體源 | 射頻式電感耦合等離子體源或雙頻等離子體源 |
| 3 | 反應(yīng)腔室 | 射頻式電感耦合等離子體源或雙頻等離子體源 |
| 4 | 機(jī)械傳片 | 單臂或雙臂高精度機(jī)械手 |
| 5 | Wafer升降 | 機(jī)械式Wafer pin升降結(jié)構(gòu)，Wafer pin采用特定工藝處理 |
| 6 | 真空泵 | 干式真空泵，根據(jù)安裝位置及工藝不同，選擇100-600m3/h規(guī)格。如工藝需求，可增加分子泵。 |
| 7 | 工藝壓力控制 | 自動(dòng)調(diào)壓蝶閥 |
| 8 | 真空檢測(cè) | 管道真空計(jì)、反應(yīng)腔室全量程真空計(jì)、工藝真空計(jì) |
| 9 | 工藝氣體種類(lèi) | 標(biāo)準(zhǔn)配置Ar、N2、O2，可增加CF4及其他工藝氣體 |
| 10 | 氣體流量控制 | 質(zhì)量流量控制器（MFC） |
| 設(shè)備主要應(yīng)用：硅基半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體的光阻灰化、高劑量離子注入后光刻膠去除、金屬表面去膠、Wafer表面的殘膠去除、Wafer表面殘留污染物去除、晶圓級(jí)封裝的前處理工藝等。 設(shè)備主要特點(diǎn):可兼容多尺寸晶圓、可實(shí)現(xiàn)多反應(yīng)腔室定制、獨(dú)特的等離子處理空間設(shè)計(jì)、等離子體密度高、去膠速率快、均勻性好、使用成本低、定制程度高、本系列設(shè)備的設(shè)計(jì)遵從中國(guó)國(guó)家安全標(biāo)準(zhǔn)及SEMI相關(guān)安全標(biāo)準(zhǔn)要求。 | ||
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