VAP系列 晶圓級等離子活化系統
應用：晶圓級封裝前表面預處理、晶圓級鍵合前表面活化、光刻膠涂覆前表面活化、晶圓表面較小particle去除、表面有機殘留去除等。
特點：可兼容多尺寸晶圓、可實現多反應腔室定制、超潔凈反應腔室，有效控制各種污染物、整機空間環境污染物控制、射頻等離子發生器或雙頻等離子發生器、晶圓表面損傷小，可用于帶圖形晶圓的表面活化、等離子體密度高、均勻性好。
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特點：可兼容多尺寸晶圓、可實現多反應腔室定制、超潔凈反應腔室，有效控制各種污染物、整機空間環境污染物控制、射頻等離子發生器或雙頻等離子發生器、晶圓表面損傷小，可用于帶圖形晶圓的表面活化、等離子體密度高、均勻性好。
| 編號 | 內容 | 規格參數 |
|---|---|---|
| 1 | 整機結構 | 帶load port系統分為前端設備操作單元、前端EFEM單元及等離子處理單元，前端EFEM系統與等離子體處理單元分體式設計 |
| 2 | 等離子體源 | 射頻等離子體源或雙頻等離子體源 |
| 3 | 反應腔室 | 標準設計為雙反應腔室，可根據需求定制單反應腔室和多反應腔室結構 |
| 4 | 機械傳片 | 單臂或雙臂高精度機械手 |
| 5 | Wafer升降 | 機械式Wafer pin升降結構，Wafer pin采用特定工藝處理 |
| 6 | 前真空泵 | 干式真空泵，根據安裝位置及工藝不同，選擇100-300m3/h規格 |
| 7 | 高真空真空泵 | 分子泵（水冷或CDA冷卻） |
| 8 | 工藝壓力控制 | 自動調壓蝶閥 |
| 9 | 真空檢測 | 管道真空計、反應腔室全量程真空計、工藝真空計、壓差開關 |
| 10 | 工藝氣體種類 | 標準配置高純Ar、N2、O2，可增加其他高純工藝氣體 |
| 設備主要應用：晶圓級封裝前表面預處理、晶圓級鍵合前表面活化、光刻膠涂覆前表面活化、晶圓表面較小particle去除、表面有機殘留去除等。 設備主要特點：可兼容多尺寸晶圓、可實現多反應腔室定制、超潔凈反應腔室，有效控制各種污染物、整機空間環境污染物控制、射頻等離子發生器或雙頻等離子發生器、晶圓表面損傷小，可用于帶圖形晶圓的表面活化、等離子體密度高、均勻性好。 |
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